Les photodiodes Indium gallium arsenide sont communément utilisées pour détecter les longueurs d’ondes dans le domaine proche IR. Cette photodiode InGaAs étendue permet d’augmenter la plage de longueur d’onde de sensibilité du capteur.
L’usage de l’InGaAs permet une plus grande résistance de shunt et un courant sombre plus faible. Ce qui le rend idéal pour des mesures sensibles et d’autres applications à faible bruit.
Caractéristiques:
Applications:
GPD Optoelectronics Corp. peut adapter son offre à votre besoin afin de vous proposer des détecteurs “sur-mesures” pour vos applications particulières.
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