Les photodiodes Indium gallium arsenide sont communément utilisées pour détecter les longueurs d’ondes dans le domaine proche IR. Ces version étendues permettent d’augmenter la plage de longueur d’onde du capteur.
L’usage de l’InGaAs permet une plus grande résistance de shunt et un courant sombre plus faible. Ce qui le rend idéal pour des mesures sensibles et d’autres applications à faible bruit.
Caractéristiques:
Applications:
GPD Optoelectronics Corp. peut adapter son offre à votre besoin afin de vous proposer des détecteurs “sur-mesures” pour vos applications particulières.
N’hésitez pas à nous contacter pour d’avantage d’informations.
Brochures & fiches techniques:
10 avenue Roger Lapébie,
Bâtiment B, 1er étage,
33140 Villenave d'Ornon
France
Tel: +33 (0)5 47 48 90 70
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